特許

J-GLOBAL ID：200903041390045879

InGaAs/InAlAsヘテロ薄膜の成長方法

発明者： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  北田 貴弘 ,  岡本 恭典
出願人/特許権者： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  北田 貴弘 ,  株式会社クボタ
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263686
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102865
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 InGaAs/InAlAsヘテロ薄膜を成長する場合に、そのInGaAs/InAlAsヘテロ界面の平坦性をより一層向上できる成長方法を提供する。【解決手段】 表面が(411)A面となるInP基板の(411)A面を被結晶成長面として、前記InP基板を成長容器1内に配置し、この成長容器1を減圧後、前記InP基板の基板温度が580°C以下となるように加熱すると共に、In,Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記InP基板上にエピタキシャル成長させて、前記InP基板の(411)A面上にInx Ga1-x As/Iny Al1-y Asヘテロ薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

表面が(411)A面となるInP基板の(411)A面を被結晶成長面として、前記InP基板を成長容器内に配置し、この成長容器を減圧後、前記InP基板の基板温度が580°C以下となるように加熱すると共に、In,Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記InP基板上にエピタキシャル成長させて、前記InP基板の(411)A面上にInx Ga1-x As/Iny Al1-y Asヘテロ薄膜を形成するInGaAs/InAlAsヘテロ薄膜の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M