特許
J-GLOBAL ID：200903041418369349
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178992
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】モノシランと三塩化ホウ素とを使用し、減圧CVD法によってボロンドープシリコン膜を成膜する半導体デバイスの製造方法であって、膜厚面内均一性が良好なボロンドープシリコン膜の作製を可能とする半導体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】ヒータ6によって加熱された反応炉10内のボート3に搭載されたウェハ4に、減圧下、モノシランと三塩化ホウ素とを含有するガスを作用させて、ウェハ4の表面にボロンドープシリコン膜を堆積させる半導体デバイスの製造方法において、反応炉10内温度を460°C以上600°C未満とすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
反応ガスとしてモノシランと三塩化ホウ素とを使用し、反応炉内において、CVD法によって基板上にボロンドープシリコン膜を成膜する半導体デバイスの製造方法において、前記ボロンドープシリコン膜成膜時における前記反応炉内温度を460°C以上600°C未満とすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA20
, 4K030BA26
, 4K030BA29
, 4K030BB03
, 4K030BB05
, 4K030JA01
, 4K030JA07
, 4K030JA10
, 4K030LA11
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045BB01
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EE20
, 5F045EK26
