特許
J-GLOBAL ID：200903041458845518

試料作製方法および試料作製装置

発明者：
吉 岡 忠 則

吉 岡 忠 則 について


出願人/特許権者：
日本電子エンジニアリング株式会社

日本電子エンジニアリング株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283802
公開番号（公開出願番号）：特開2006-098189
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 観察に適した良好な薄膜試料を簡単に作製できる試料作製方法および試料作製装置を提供する。【解決手段】 イオン銃が左右に繰り返し傾斜され、z軸に対して左右にそれぞれ1.5度傾斜したイオンビームIBによって試料素材11はエッチングされる。図8(a)のあと図8(b)に示すように試料素材11はエッチングされる。その後、何回かイオン銃が左右に傾斜されて試料素材11のイオンエッチングが行われ、図8(c)のように試料素材11はエッチングされる。図8(c)に示した試料素材11のA部分が更にイオンエッチングされたため、図8(d)に示すように、試料素材11には貫通孔Hが開いている。貫通孔Hの周辺部分Kは100Å程の薄膜となっており、薄膜部分Kの厚さはTEM観察に適した厚さである。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
試料素材上にイオンビーム非照射面とその周囲にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材を、前記試料素材上に配置し、 遮蔽材の上方から遮蔽材と試料素材にイオンビームを照射し、 前記イオンビーム非照射面をイオンエッチングせずに残して、その周囲のイオンビーム照射面をイオンエッチングするようにした試料作製方法であって、 前記遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射するようにし、 前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなる薄膜試料が出来るように、前記イオンビームの照射方向をそれぞれ設定するようにした ことを特徴とする試料作製方法。
IPC (2件)：
G01N 1/32 ,  G01N 1/28
FI (2件)：
G01N1/32 B ,  G01N1/28 G
Fターム (6件)：
2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA34
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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