バリヤメタル層及びその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-195788
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303536
出願日： 2006年07月18日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層を提供する。【解決手段】シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層64と銅層68,70との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜66を用いる。これにより、銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜を用いたこを特徴とするバリヤメタル層。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , C23C 16/42 , C23C 16/509

FI (5件)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/90 D , C23C16/42 , C23C16/509

Fターム (34件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030KA17 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 5F033JJ11 , 5F033JJ31 , 5F033KK01 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP12 , 5F033WW03 , 5F033XX08 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-077476
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-042612 出願人：株式会社東芝
CVD装置を用いたTiN膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-162426 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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