特許

J-GLOBAL ID：200903041512739931

ダイヤモンドへのイオン注入法

発明者： 長谷川 雅考
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036498
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247564
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】従来の手法は、イオン注入による不純物元素添加によりダイヤモンドに電気伝導性を付与する手法としてある程度有効である。しかし、より低抵抗の試料を作成するために、10倍の濃度をこのプロセスにより達成することは実際には不可能に近い。【解決手段】本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。これにより、従来の方法に比べて、非常に簡便にかつダイヤモンドのグラファイト化を避けつつ添加元素の電気的活性化を生じさせることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド単結晶中に添加元素をイオン注入する方法において、該単結晶をー270°C以上0°C以下に保持し、イオン注入と同時にレーザー光を照射することを特徴とするイオン注入法。

IPC (4件)：

H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  C30B29/04 ,  H01L21/268

FI (5件)：

H01L21/265 Z ,  H01L21/265 602Z ,  C23C14/48 B ,  C30B29/04 V ,  H01L21/268 F

Fターム (8件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077FD03 ,  4G077HA20 ,  4K029AA04 ,  4K029BA34 ,  4K029CA10 ,  4K029EA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198590   出願人：松下電器産業株式会社
• ダイヤモンドのドーピング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173554   出願人：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド