特許

J-GLOBAL ID：200903041561551395

表面状態測定方法及び装置

発明者： 吉田 春雄 ,  遠藤 礼暁 ,  庭野 道夫 ,  宮本 信雄 ,  前田 泰宏
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト ,  庭野 道夫 ,  宮本 信雄
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095853
公開番号（公開出願番号）：特開2000-055815
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板などの表面状態を測定する表面状態測定方法及び装置に関し、赤外線分光法により半導体基板の表面状態を製造現場においてその場測定しうる表面状態測定方法及び装置を提供する。【解決手段】赤外光源20から発せられた赤外線を、被測定基板12の外周部分に集光して被測定基板12内に導入する赤外線集光手段30と、赤外線集光手段30により集光される赤外線の被測定基板12への入射角度を所定値に固定し又は可変制御する入射角度制御手段80と、被測定基板12内で多重反射した後に被測定基板12から出射する赤外線を集光する赤外線集光手段40と、赤外線集光手段40により集光された赤外線を検出する赤外線検出手段50と、赤外線検出手段50により検出された赤外線を分析し、被測定基板の表面に付着した汚染物を測定する赤外線分析手段60とを有する。

請求項（抜粋）：

赤外光源から発せられた赤外線を、被測定基板の外周部分に集光して前記被測定基板内に導入する第1の赤外線集光手段と、前記第1の赤外線集光手段により集光される赤外線の前記被測定基板への入射角度を所定値に固定し又は可変制御する入射角度制御手段と、前記被測定基板内で多重反射した後に前記被測定基板から出射する赤外線を集光する第2の赤外線集光手段と、前記第2の赤外線集光手段により集光された赤外線を検出する赤外線検出手段と、前記赤外線検出手段により検出された赤外線を分析し、前記被測定基板の表面に付着した汚染物を測定する赤外線分析手段とを有することを特徴とする表面状態測定装置。

IPC (7件)：

G01N 21/88 ,  G01B 11/30 ,  G01J 3/42 ,  G01J 3/45 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/35 ,  H01L 21/66

FI (7件)：

G01N 21/88 645 A ,  G01B 11/30 A ,  G01J 3/42 Z ,  G01J 3/45 ,  G01N 21/27 C ,  G01N 21/35 Z ,  H01L 21/66 J

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-082983   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭64-023144
  
• 透明体の破損検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237272   出願人：日本発条株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-082983   出願人：東京エレクトロン株式会社