特許
J-GLOBAL ID：200903041570525704
半導体メモリ装置の複数レベル電圧発生機
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237824
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134571
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 消耗電流を低減して節電を図る。【解決手段】 複数レベル電圧発生機は、バックバイアス電圧レベルをポンピングするバックバイアス電圧電荷ポンピング手段、バックバイアス電圧レベルを感知して第1及び第2バックバイアス電圧感知信号を発生させるバックバイアス電圧レベル感知手段、高電圧レベルをポンピングする高電圧電荷ポンピング手段、高電圧レベルを感知して第1及び第2高電圧感知信号を発生させる高電圧レベル感知手段、前記第2バックバイアス電圧感知信号及び第2高電圧感知信号を受信して選択的に駆動される制御手段並びに制御手段の出力信号、前記第1バックバイアス電圧感知信号及び第1高電圧感知信号を受信し、バックバイアス電圧電荷ポンピング手段に第1オシレーティング信号を印加させ、高電圧電荷ポンピング手段に第2オシレーティング信号を印加させるオシレータを含む。
請求項（抜粋）：
バックバイアス電圧レベルをポンピングするバックバイアス電圧電荷ポンピング手段と、前記バックバイアス電圧レベルを感知して第1及び第2バックバイアス電圧感知信号を発生させるバックバイアス電圧レベル感知手段と、高電圧レベルをポンピングする高電圧電荷ポンピング手段と、前記高電圧レベルを感知して第1及び第2高電圧感知信号を発生させる高電圧レベル感知手段と、前記バックバイアス電圧レベル感知手段の第2バックバイアス電圧感知信号と、前記高電圧レベル感知手段の第2高電圧感知信号を受信し選択的に駆動される制御手段と、前記制御手段の出力信号と、前記バックバイアス電圧レベル感知手段の第1バックバイアス電圧感知信号と、前記高電圧レベル感知手段の第1高電圧感知信号を受信し、前記バックバイアス電圧電荷ポンピング手段に第1オシレーティング信号を印加させ、前記高電圧電荷ポンピング手段に第2オシレーティング信号を印加させるオシレータを含み、前記第1及び第2バックバイアス電圧感知信号の大きさは等しく位相が反対であり、前記第1及び第2高電圧感知信号の大きさは等しく位相が反対であることを特徴とする半導体メモリ装置の複数レベル電圧発生機。
IPC (3件)：
G11C 11/407
, G11C 11/413
, H02M 3/07
G11C 11/34 354 F
, H02M 3/07
, G11C 11/34 335 A
