特許
J-GLOBAL ID：200903041592396142
半導体入力回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川久保 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092829
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板上に半導体入力回路を形成し、内部回路に使用する電源電圧よりも高い電位の信号を半導体入力回路に入力した場合、十分なサージ耐圧を持つことができる半導体入力回路を提供することを目的とするものである。【解決手段】 パッド10と信号レベル低下回路40の入力端子との間に、ゲートを高電位の電源線VDDに接続し、ドレインをパッド10に接続し、ソースを信号レベル低下回路40の入力端子に接続された少なくとも1個のNチャネルMOSトランジスタ31を挿入するとともに、SOI基板上で実現するダイオード60を、高電位の電源線VDDと低電位の電源線GNDとの間に回路パタンとして形成するものである。
請求項（抜粋）：
サージ保護回路と信号レベル低下回路とを具備し、上記サージ保護回路の入力端子が入力信号線に接続され、上記信号レベル低下回路の出力端子が出力信号線に接続されている半導体入力回路において、上記入力信号線と上記信号レベル低下回路の入力端子との間に接続されているブレークダウン電圧増加回路と;n側が高電位の電源線に接続され、p側が低電位の電源線に接続されているpn接合ダイオードと;を有することを特徴とする半導体入力回路。
IPC (7件)：
H01L 29/78
, H01L 23/62
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H02H 3/22
, H02H 3/24
, H02H 7/20
H01L 29/78 301 K
, H01L 27/12 K
, H02H 3/22
, H02H 3/24 A
, H02H 7/20 F
, H01L 23/56 A
, H01L 29/78 623 Z
