ウェハ等の処理方法および処理設備

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239084
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051475
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハ、液晶基板等の生産において、湿式処理から超臨界乾燥の工程を、汎用性が高く、安定で生産性が高く、経済的要望を満足しうる、ウェハ等の処理システムを提供することにある。【解決手段】その内部にウェハ等を収納して、現像、成膜、エッチング、洗浄等の湿式処理を行う少なくとも1基の湿式処理装置1と、その内部にウェハ等を収納して超臨界乾燥を行う少なくとも1基の超臨界乾燥装置2と、前記湿式処理装置1と前記超臨界乾燥装置2との間でウェハ等をその表面が濡れた状態で搬送を行う搬送装置3、とを備え、前記超臨界乾燥装置2には、この内部でウェハ等を回転する機構を備えている。

請求項（抜粋）：

ウェハ等を湿式処理装置に装入して該湿式処理装置中で現像、成膜、エッチング、洗浄等の湿式処理を行う工程と、この湿式処理工程の後で前記ウェハ等を乾燥させる前に前記ウェハ等を前記湿式処理装置から取り出して前記ウェハ等の表面が濡れた状態で超臨界乾燥装置に装入する工程と、前記超臨界乾燥装置の内部に載置された前記ウェハ等の表面に液を供給する工程と、前記超臨界乾燥装置内に高圧高温の流体を供給して前記超臨界乾燥装置の内部を超臨界状態にする工程と、前記超臨界乾燥装置内を予め決められた時間超臨界状態に保持する工程と、前記超臨界乾燥装置内の圧力を減じて大気圧に戻す工程と、前記超臨界乾燥装置から前記ウェハ等を取り出す工程、とを有していることを特徴とするウェハ等の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 651

FI (2件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 651 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

超臨界乾燥装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248672 出願人：日本電信電話株式会社
超臨界乾燥方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-358909 出願人：日本電信電話株式会社
超臨界洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223278 出願人：三菱化工機株式会社

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審査官引用 (5件)

超臨界乾燥装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248672 出願人：日本電信電話株式会社
超臨界乾燥方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-358909 出願人：日本電信電話株式会社
超臨界洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223278 出願人：三菱化工機株式会社

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