フォトマスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349797
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186634
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハー上の各層の重ね合わせ測定の際の誤検知を防ぎ、より正確な重ね合わせ精度測定を行うことを可能にする。【解決手段】半導体装置の作製工程において連続して形成される2層の重ね合わせ精度を測定するために2層のそれぞれに測定マークを形成するための測定パターンを有するフォトマスクである。測定パターンは少なくとも3本の互いに平行な線パターンからなる第1パターンと、第1パターンと直角方向の少なくとも3本の平行な線パターンからなる第2パターンとを含み、下層の形成のためのフォトマスクの測定パターンと下層の直上に形成される上層の形成のためのフォトマスクの測定パターンは、下層および上層が形成されたときにそれぞれの測定マークが互いに重ならない位置に配置されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の作製工程において連続して形成される2層の重ね合わせ精度を測定するために該2層のそれぞれに測定マークを形成するための測定パターンを有するフォトマスクであって、前記測定パターンは少なくとも3本の互いに平行な線パターンからなる第1パターンと、該第1パターンと直角方向の少なくとも3本の平行な線パターンからなる第2パターンとを含み、下層の形成のためのフォトマスクの前記測定パターンと該下層の直上に形成される上層の形成のためのフォトマスクの前記測定パターンは、該下層および上層が形成されたときにそれぞれの測定マークが互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 M , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-090006
合せずれ測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-286256 出願人：株式会社東芝
特開昭59-134826

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