特許
J-GLOBAL ID:200903041632776148
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-102953
公開番号(公開出願番号):特開2006-286813
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハWにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極34には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極34は外側部分36aと内側部分36bとを有し、高周波電源48からの高周波電流は外側部分36aおよび内側部分36bの両方に流れ、可変直流電源50からの直流電流は、内側部分36aには流れ、外側部分36bには実質的に流れないように構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、
処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、
前記第1電極に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と
を具備し、前記第1電極および前記第2電極との間に処理ガスのプラズマを生成して被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第1電極は、その外側部分が前記直流電源からの電流が実質的に流れないように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/302 101B
, H05H1/46 M
Fターム (11件):
5F004AA15
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004BB22
, 5F004BB29
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004EB01
引用特許:
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