プラズマ処理装置およびエッチング方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342764
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173993
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】より微細化に対応可能なプラズマ処理装置およびより微細化に対応可能でかつより選択性の高いエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。【解決手段】チャンバー2内に上部電極21および下部電極(サセプタ)5を対向するように設け、下部電極5に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー2内に処理ガスを導入しつつ上部電極21および下部電極5の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板にエッチングを施すにあたり、上部電極21には50〜150MHzの範囲、例えば60MHzの高周波を印加し、下部電極5には1〜4MHzの範囲、例えば2MHzの高周波を印加する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に第1および第2の電極を対向するように設け、前記第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第1および第2の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記第1の電極には50〜150MHzの範囲の周波数を有する第1の高周波電源が接続され、前記第2の電極には1〜4MHzの範囲の周波数を有する第2の高周波電源が接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H05H 1/46 M , H01L 21/302 M

Fターム (22件)：

5F004AA02 , 5F004AA06 , 5F004BA04 , 5F004BA07 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EB01

引用特許：

出願人引用 (6件)

プラズマ装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-217569 出願人：富士通株式会社
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-302138 出願人：東京エレクトロン株式会社
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-085575 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (6件)

プラズマ装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-217569 出願人：富士通株式会社
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-302138 出願人：東京エレクトロン株式会社
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-085575 出願人：東京エレクトロン株式会社

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