特許
J-GLOBAL ID：200903041644516354

スパッタリング装置のターゲット構造

発明者：
南部 信政

南部 信政 について


出願人/特許権者：
株式会社ライク

株式会社ライク について


代理人 (1件)： 小林 和憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233767
公開番号（公開出願番号）：特開平11-071667
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 マグネットブロックを固定したまま、安定した磁界の作用下で均一な膜厚が得られるスパッタリング成膜を行う。【解決手段】 ターゲットホルダ20及びターゲット材料21を二重筒構造にしたターゲットブロック12を用いる。ターゲット材料の軸方向長さをL、中心軸からの平均半径をRとしたとき、0.03≦R/L≦0.12とする。ターゲットホルダ20の中空部内にマグネットブロック22を配置する。マグネットブロック22は、コア24と、ターゲット材料21の長手方向に沿ってライン状に配置された第1マグネット列25と、その両側にライン状に配列された一対の第2マグネット列26とからなる。
請求項（抜粋）：
磁界内で成膜を行うマグネトロンスパッタリング装置のターゲット構造において、成膜中に一方の電極となる筒状のターゲットホルダと、このターゲットホルダの外周面に密着固定された筒状のターゲット材料と、前記ターゲットホルダの中空部内に長手方向に沿って配置されターゲット材料の外表面近傍に磁界を発生させるマグネットとからなり、前記マグネットは、ターゲットホルダの長手方向に沿ってライン状に配置され、外周面に向かって一方の磁極を向けた第1マグネットと、この第1マグネットの両側に沿ってライン状に配置され、外周面に向かって他方の磁極を向けた一対の第2マグネットとから構成されるとともに、ターゲット材料の軸方向長さをL、ターゲット材料の中心軸から外周面までの平均半径をRとしたとき、0.03 ≦ R/L ≦ 0.12としたことを特徴とするスパッタリング装置のターゲット構造。
FI (2件)：
C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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