特許
J-GLOBAL ID：200903041645383749
多重ビットメモリセルのデ-タセンシング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173282
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 多重ビットのデータを格納するための多数のしきい値電圧レベルを有する不揮発性メモリ装置の読込マージンをより多く確保して、センシングの信頼度を高め、高速センシング動作を行うに適した多重ビットメモリセルのデータセンシング装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ部の選択されたセルの電圧を直接比較するのではなく、本発明はそのセルに流れる電流量に基づいてメモりセルのしきい値電圧分布よりも狭幅の量子化された電圧をマルチステップカレントソース部から出力させ、その出力を基準電圧と比較するようにした。
請求項（抜粋）：
各メモリセルが少なくとも2つ以上のしきい値電圧レベルを有するメモリセルアレイ部と、前記メモリセルアレイ部のうち任意に選択されたメモリセルに流れる電流量に基づいてメモりセルのしきい値電圧分布よりも狭幅の量子化された電圧を出力するマルチステップカレントソース部と、前記マルチステップカレントソース部の量子化された電圧と複数の基準電圧とを比較してメモリセルの状態を2進データとして出力するアナログ/デジタルコンバータとを備えることを特徴とする多重ビットメモリセルのデータセンシング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 634 C
