特許
J-GLOBAL ID：200903041648304084

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小林 敏男

小林 敏男 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172861
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353837
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 本発明は半導体チップを高精度に実装することを課題とする。【解決手段】 半導体装置10は、半導体チップ12を絶縁層14を成す第1絶縁層18と第2絶縁層20との間に埋め込むように構成し、半導体チップ12の電極パッド22に第1絶縁層18に形成される配線パターン24を直接接続するように構成されている。また、配線パターン24は、半導体チップ12の電極パッド22の表面にジンケート処理を施して接続電極23を形成した後、Pb含有樹脂層26に無電解めっきによりシード層28を形成し、シード層28に再配線30を電解めっきにより形成したものである。そして、再配線30を覆うようにソルダレジストなどの第3絶縁層32が積層されており、再配線30に連通するように第3絶縁層32に形成された貫通孔32aにはバンプ34が挿入されるように形成され、再配線30と接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持板の表面に第1絶縁層を積層する第1工程と、 前記第1絶縁層に半導体チップの電極パッドと接続するための孔を加工する第2工程と、 前記孔に前記半導体チップの電極パッドを一致させるように位置合わせを行って前記半導体チップを前記第1絶縁層の表面に貼り付ける第3工程と、 前記半導体チップを被覆するように第2絶縁層を前記第1絶縁層に積層する第4工程と、 前記支持板を前記第1絶縁層から除去する第5工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L23/12
FI (1件)：
H01L23/12 501B
引用特許：
出願人引用 (2件)

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