特許
J-GLOBAL ID：200903070318938885

半導体装置およびその製造方法

発明者：
定別当 裕康

定別当 裕康 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232289
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071998
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】例えばBGAと呼ばれる半導体装置の製造に際し、シリコン基板と半田ボールとをボンディング工程を経ることなく導電接続する。【解決手段】複数の半導体装置に対応するサイズのベース板21上の接着層22上に、シリコン基板24上に再配線32、柱状電極33および封止膜34を設けてなる半導体構成体23を相互に離間して接着する。次に、半導体構成体23の周側面に封止膜35を形成する。次に、第1の上層絶縁膜36、第1の上層再配線39、第2の上層絶縁膜41、第2の上層再配線44、第3の上層絶縁膜45を順次、積層状に形成し、最後に、半田ボール47を形成する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
半導体基板の上面に設けられた複数の再配線および前記各再配線の一端部上に形成された柱状電極を有する半導体構成体と、該半導体構成体の前記柱状電極を除く上面全体および前記半導体構成体の周側面より外側の延出部に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に、前記柱状電極に接続されて設けられ且つ接続パッドを有する少なくとも一層の上層再配線とを備え、前記上層再配線の中、最上層の上層再配線の少なくとも一部は、前記接続パッドが前記絶縁膜上の前記半導体構成体の周側面より外側の前記延出部上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18
FI (2件)：
H01L23/12 501C ,  H01L25/04 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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