特許
J-GLOBAL ID：200903041663327953
グラニュラー状フリー層及び磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
内藤 照雄
, 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346979
公開番号（公開出願番号）：特開2006-157027
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】GMR素子の熱安定性の改善とスピントランスファー効果の低減。【解決手段】磁気抵抗ヘッドの読み取り素子は、グラニュラー状フリー層101を含む。この磁気抵抗ヘッドは膜面垂直電流種用であり、巨大磁気抵抗(GMR)方式或いはバリスティック磁気抵抗(BMR)方式のいずれにも使用することができる。グラニュラー状フリー層101は、絶縁性マトリクス110、例えば酸化アルミニウムと、金属磁性粒子111、例えばニッケルとコバルト・鉄とニッケル・鉄とを含む。金属粒子111の寸法は約10〜30nmであり、これらの粒子を絶縁性マトリクス110内に散在させることにより低磁化を有するより柔軟なグラニュラー状フリー層101を提供する。グラニュラー状フリー層101は約5〜10nm台のより厚肉とし、全体的な熱安定性を改善し、スピントランスファー効果を低減し、出力読み取り信号を改善する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
外部磁界に応答して磁化方向が変化し、非磁性絶縁性マトリクスに磁性粒子を有するグラニュラー状フリー層と、
実質的に磁化方向が固定されたピン層と、
前記ピン層と前記グラニュラー状フリー層との間に挟持したスペーサとを含む、磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
5D034BA04
, 5D034CA04
, 5D034CA08
