特許

J-GLOBAL ID：200903052589018139

磁気抵抗効果素子

発明者： 長坂 恵一 ,  瀬山 喜彦 ,  菅原 貴彦 ,  清水 豊 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396246
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198004
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 確実に素子出力を向上させて、高記録密度の磁気記録媒体に対応できるCPP型の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 少なくとも下地層、フリー層、非磁性層、ピンド層、ピニング層及び保護層を含む磁気抵抗効果膜の膜厚方向にセンス電流を流して磁気抵抗変化を検出する磁気抵抗効果素子であって、前記複数層の少なくとも1つの層間MAに、導電性粒子と、該導電性粒子を分散状態にして含み導電性粒子の粒子径よりも薄い膜厚に形成した絶縁性マトリックス材料とで形成したグラニュラ構造層が設けられている。

請求項（抜粋）：

少なくとも下地層、フリー層、非磁性層、ピンド層、ピニング層及び保護層を含む磁気抵抗効果膜の膜厚方向にセンス電流を流して磁気抵抗変化を検出する磁気抵抗効果素子であって、前記複数層の少なくとも1つの層間に、導電性粒子と、該導電性粒子を分散状態にして含み導電性粒子の粒子径よりも薄い膜厚に形成した絶縁性マトリックス材料とで形成したグラニュラ構造層を設けた、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 強磁性トンネル効果素子およびそれを用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258950   出願人：株式会社東芝
• 磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256695   出願人：株式会社東芝
• 磁気検出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077752   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-161017   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322041   出願人：株式会社東芝