特許
J-GLOBAL ID：200903041668571151
面発光半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361317
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164621
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 光出力の熱飽和特性が良好で、高温の動作環境でも高出力で安定して動作する面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光半導体レーザ素子40は、発光波長850nmの面発光型の半導体レーザ素子であって、下部反射鏡42の構成が従来の面発光半導体レーザ素子の下部反射鏡の構成と異なることを除いて、従来の面発光半導体レーザ素子と同じ構成を備える。下部反射鏡42は、低屈折率膜として設けられたp-AlAs膜44と、高屈折率膜として設けられたp-Al0.2 Ga0.8 As膜46の25.5ペアからなる下部多層膜48と、下部多層膜44上に形成され、p-Al0.2 Ga0.8 As膜46とp-Al0.9 Ga0.1 As膜50の10ペアからなる上部多層膜52とから構成される。上部多層膜52の最上層は、p-Al0.9 Ga0.1 As膜に代えて一部領域に電流狭窄領域としてAl酸化層16を形成した膜厚50nmのp-AlAs膜58が成膜されている。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた活性層と、基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられた特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し、電流注入により基板と垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザ素子において、基板側の半導体多層膜反射鏡を構成する、相互に屈折率の異なる2層の化合物半導体層のペアの低屈折率層がAlAs層であって、特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際のAlAs層に対する酸化防止層として、AlAs層よりも酸化速度の遅い材料からなる層が、半導体多層膜反射鏡の活性層側のAlAs層と酸化層との間に介在することを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AC07
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F073AA62
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA25
, 5F073DA27
, 5F073EA15
, 5F073EA24
, 5F073EA28
