特許
J-GLOBAL ID：200903041684039443

電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置

発明者：
村田 昌樹

村田 昌樹 について

, 
米屋 伸英

米屋 伸英 について

, 
木村 典生

木村 典生 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315845
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130920
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極13、ゲート絶縁層14、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域16、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域16を構成する有機半導体材料層と接するソース/ドレイン電極15の部分は、電極被覆材料21で被覆されており、電極被覆材料21は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15と結合する官能基を有する有機分子から成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
式(1)で示される有機分子から成り、 式(1)中の官能基Yが、金属から成る電極の表面と結合することを特徴とする電極被覆材料。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/417
FI (10件)：
H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
Fターム (77件)：
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM