特許
J-GLOBAL ID：200903041711400633
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池田 憲保
, 福田 修一
, 佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116388
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288083
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】相変化層を安定して形成でき、相変化層に相変化を起させるために必要とされる電流を低減することができる相変化型メモリと呼ばれる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】下部電極13の上方に、相変化層11のエッジ部を形成する。エッジ部は、下部電極と相変化層とのコンタクトエリアの上方で相変化層の膜厚が変化するようにその断面がテーパー形状とされ、酸化膜20により埋め込まれている。この構成により、相変化が起きる領域を制限できるので、効率よく加熱することができ、加熱に必要な電流を低減できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部電極と上部電極との間に設けられた相変化層を備える半導体記憶装置において、
前記相変化層が前記下部電極の上方に位置するテーパー部を有し、当該相変化層の最上平面の面積が当該相変化層の最下平面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
出願人引用 (1件)
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米国特許出願公開第2004/0012009号明細書
審査官引用 (2件)
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