特許
J-GLOBAL ID：200903007508981465
相変化記憶素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357272
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019688
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 下部電極と相変化膜との接触面積を減らし電流量を減少させることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下部パターンがその上面に備えられた半導体基板と、下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に形成されたコンタクトプラグと、コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に形成された下部電極と、下部電極を含んだ層間絶縁膜上に形成され、下部電極を露出させるコンタクトホールを備えた第1酸化膜と、コンタクトホールの側壁に形成されたスペーサと、スペーサ及び下部電極上にスペーサ形態で形成された相変化膜と、相変化膜の上部部分が露出するようにコンタクトホール内に埋め込まれる第2酸化膜と、露出した相変化膜部分とコンタクトするように第1酸化膜上に形成された上部電極とを有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下部パターンがその上面に備えられた半導体基板と、
前記下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に形成されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極を含んだ層間絶縁膜上に形成され、下部電極を露出させるコンタクトホールを備えた第1酸化膜と、
前記コンタクトホールの側壁に形成されたスペーサと、
前記スペーサ及び下部電極上にスペーサ形態で形成された相変化膜と、
前記相変化膜の上部部分が露出するようにコンタクトホール内に埋め込まれる第2酸化膜と、
前記露出した相変化膜部分とコンタクトするように第1酸化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする相変化記憶素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR09
, 5F083PR40
