特許
J-GLOBAL ID：200903041771723881

強誘電体メモリ

発明者：
長谷川 雅俊

長谷川 雅俊 について

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永島 靖

永島 靖 について

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梶谷 一彦

梶谷 一彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-021689
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 複数の記憶領域を有する大規模強誘電体メモリ等の寿命つまり使用可能期間を長くし、その信頼性を高める。【解決手段】 選択的に不揮発領域又は揮発領域として使用される複数の記憶領域B0〜B3を備える大規模強誘電体メモリ等において、例えば揮発領域として使用される記憶領域を、経過時間又はアクセス回数あるいは強誘電体メモリセルの情報保持特性の劣化程度に応じて、かつ例えばB0,B1,B2ならびにB3の順序で切り換えてシフトさせ、大規模強誘電体メモリ等に、経過時間を計時するための分周カウンタ又はアクセス回数を計数するためのアクセスカウンタあるいはメモリセルの情報保持特性の劣化程度を判定するためのダミーセル及びデータ比較回路を設ける。これにより、各記憶領域における強誘電体メモリセルの膜疲労を平均化し、その実質的な書き込み可能回数を多くする。
請求項（抜粋）：
不揮発領域又は揮発領域として選択的に使用される複数の記憶領域を具備し、かつ上記不揮発領域又は揮発領域として使用される記憶領域が所定の条件で選択的に切り換えられることを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (6件)：
G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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