特許
J-GLOBAL ID：200903041818883599

カーボンナノチューブ又はナノファイバーを用いたSiC/SiC複合材料の高熱伝導化

発明者：
田口 富嗣

田口 富嗣 について

, 
社本 真一

社本 真一 について

, 
井川 直樹

井川 直樹 について

, 
實川 資朗

實川 資朗 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 日本原子力研究開発機構

独立行政法人 日本原子力研究開発機構 について


代理人 (11件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩 ,  神田 藤博 ,  田中 英夫 ,  細川 伸哉 ,  深澤 憲広 ,  平山 晃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201424
公開番号（公開出願番号）：特開2007-015901
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 本発明の目的は、使用環境下における熱流の進行方向に対して垂直な面内のSiC繊維の体積含有率を殆ど低下させることなく、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法を提供することにある。【解決手段】 カーボンナノチューブ又はナノファイバーをSiC/SiC複合材料のマトリクス中に均一に分散させることを特徴とする、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法。該方法においては、SiC/SiC複合材料の使用環境下における熱流の進行方向に対して垂直な面内のSiC繊維の体積含有率を殆ど低下させることなく、熱伝導率を向上させることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブ又はナノファイバーをSiC/SiC複合材料のマトリクス中に均一に分散させることを特徴とする、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法。
IPC (2件)：
C04B 35/80 ,  C04B 35/84
FI (2件)：
C04B35/80 C ,  C04B35/84
Fターム (3件)：
4G146AA11 ,  4G146AD17 ,  4G146AD20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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