特許
J-GLOBAL ID：200903041821761615
光応答型高電子移動度トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297983
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】光の吸収効率を高め、光による高周波特性制御の感度を高めることができる光応答型高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】InP基板1上にIn0.53Ga0.47As光吸収層3とIn0.8 Ga0.2 Asチャネル層4とIn0.52Al0.48Asプレーナドープ層7が積層されている。チャネル層4はプレーナドープ層7よりもバンドギャップが小さい材質で構成され、プレーナドープ層7より供給された電子が走行する。光吸収層3はチャネル層4に隣接して配置され、バンドギャップが照射する光の波長によって決まるエネルギーよりも小さく、表面から照射した光L1,L2の少なくとも一部が到達して当該光により電子とホールが生成する。光吸収層3に光が達すると、光吸収層3内では電子とホールが生成され、電子はチャネル層4に移動し、チャネル層4に蓄積される電子量を増加させ、高周波特性を変動させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、不純物をドープした電子供給層と、前記半導体基板上に形成され、前記電子供給層よりもバンドギャップが小さい材質で構成され、電子供給層より供給された電子が走行するチャネル層と、前記半導体基板上において前記チャネル層に隣接して配置され、バンドギャップが照射する光の波長によって決まるエネルギーよりも小さい光吸収層と、を備え、表面から照射した光の少なくとも一部が前記光吸収層に到達して当該光により電子とホールが生成するようにしたことを特徴とする光応答型高電子移動度トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 27/095
, H01L 31/10
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 E
, H01L 31/10 A
