特許

J-GLOBAL ID：200903074420724801

ヘテロ接合を有する化合物半導体基板およびそれを用いた電界効果トランジスタ

発明者： 松ヶ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  上野 祥樹 ,  服部 正
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140435
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 Pseudomorphic HEMTにおいて、チャネル層内の2DEGの分布がドープ層とのヘテロ界面近傍に集中するのを防止し、同時に歪みの加わったチャネル層の膜厚を薄くすることができる構造を提供する。【構成】 InP 基板1上に成長させたn-InAlAs/InGaAs Pseudomorphic 構造において、InAlAs/InGaAs ヘテロ界面にInGaAsチャネル層3よりもIn組成の少ないInGaAsスペーサ層4を挿入した。InGaAsチャネル層3のIn組成は0.80としてチャネル層の高移動度化を図り、それ以外のバッファ層2,スペーサ層5,ドープ層6のInAlAs層はIn組成を基板に格子整合する0.52、InGaAsスペーサ層4,キャップ層7のInGaAs層は基板に格子整合する0.53とした。本構造により2次元電子ガスの分布が制御され、移動度をさらに向上することができる。

請求項（抜粋）：

InGaAs層とInAlAs層とのヘテロ接合を有する化合物半導体基板において、上記InGaAs層のIn組成が上記InAlAs層のIn組成よりも大きい構造とされ、かつ、上記InGaAs層とInAlAs層とが接するヘテロ接合界面に、上記InAlAs層のIn組成とほぼ等しいIn組成を持つInGaAs層,あるいは上記InGaAs層のIn組成よりも小さいIn組成を持つInGaAs層が挿入されていることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-068143
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113283   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-150560   出願人：三洋電機株式会社