特許

J-GLOBAL ID：200903041851799374

冷電子放出素子及びその製造方法

発明者： 平野 貴之 ,  伊藤 順司 ,  金丸 正剛
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 藤巻 正憲 ,  工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063467
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 エミッタ突起部の先鋭端の加工精度及び構造の均一化が優れていると共に、安定した電流を放出することができる冷電子放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板38上の一部にn型半導体からなるエミッタ基部34b及び突起部34とソース領域37bとを形成し、ソース領域上にソース電極37aを、エミッタ基部及びソース領域の一部を含む基板上に、第1絶縁層32を介して電流制御電極35と、その上に第2絶縁層33を介して引き出し電極36とを形成する。製造方法は、先ずp型シリコン基板上にエミッタ突起部を、エミッタの基部及びソース領域を含む基板上に第1絶縁層及び電流制御電極を、次いで電流制御電極上に第2絶縁層及び引き出し電極36を、最後にエミッタの基部及びソース領域にn型不純物を導入した後ソース電極を形成する。

請求項（抜粋）：

p型半導体領域からなる基部及びこの基部から突出する突起部を備えこの突起部には少なくとも1つ以上の先鋭端が設けられたエミッタと、前記基部上に選択的に形成された第1絶縁層と、この第1絶縁層上に形成された電流制御電極と、この電流制御電極上に形成された第2絶縁層と、この第2絶縁層上に形成されその電圧印加により前記エミッタの前記突起部から電子を放出させる引き出し電極と、を有することを特徴とする冷電子放出素子。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (5件)：

H01J 1/30 C ,  H01J 1/30 B ,  H01J 9/02 B ,  H01J 9/02 C ,  H01J 31/12 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界放出陰極装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-330599   出願人：富士通株式会社
• 電界放出型陰極装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-270632   出願人：日本電気株式会社