特許
J-GLOBAL ID:200903041862312981

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤本 博光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-156145
公開番号(公開出願番号):特開平8-023111
出願日: 1994年07月07日
公開日(公表日): 1996年01月23日
要約:
【要約】【目的】 表面酸化膜下の界面準位への電子の注入をなくし、セルの変換効率を改善した太陽電池を提供する。【構成】 p型Si基板1の受光面となる表面にn型領域2及び2aと酸化膜6とを形成した太陽電池において、セル端面周辺のn型領域2aのキャリア濃度が、セル内部の主接合を形成するn+型領域2のキャリア濃度より低いことを特徴とする太陽電池。
請求項(抜粋):
p型シリコン(Si)基板の受光面となる表面にn型領域と酸化膜とを形成した太陽電池において、セル端面周辺のn型領域のキャリア濃度が、セル内部の主接合を形成するn+型領域のキャリア濃度より低いことを特徴とする太陽電池。
引用特許:
出願人引用 (6件)
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