特許

J-GLOBAL ID：200903041875764440

ウエハ加熱装置

発明者： 内山 京治 ,  坂元 広治
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371691
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189276
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】均熱板を半導体製造装置に取り付ける際に、前記半導体製造装置側の熱容量が大きいと、均熱板の温度が安定するのに非常に時間が掛かり、且つ冷却に時間が掛かるという課題があった。【解決手段】セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、上記均熱板の外周を支持体に保持してなるウエハ加熱装置において、前記支持体の内側に多層構造部を有し、さらに該多層構造部に均熱板を冷却するためのガス噴射口が設置され、前記多層構造部にその面積の5〜70%の開口部を形成有しているウエハ加熱装置とする。

請求項（抜粋）：

セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、上記均熱板の外周を支持体に保持してなるウエハ加熱装置において、前記支持体の内側に多層構造部を有し、さらに該多層構造部に均熱板を冷却するためのガス噴射口が設置され、前記多層構造部にその面積の5〜70%の開口部を形成したことを特徴とするウエハ加熱装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 3/68

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/68 ,  H01L 21/30 567 ,  H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB62 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF27 ,  3K092SS27 ,  3K092VV22 ,  5F004AA01 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 加熱処理装置及び加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-291712   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ホットプレートユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-033429   出願人：イビデン株式会社
• 薄膜気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-353776   出願人：日新電機株式会社
• ホットプレートユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-080987   出願人：イビデン株式会社