特許

J-GLOBAL ID：200903041910422174

半導体装置

発明者： 田崎 学 ,  西川 英信 ,  熊谷 浩一 ,  有末 一夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046079
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 同一電極数で小面積化を可能とし、高密度配線を可能にする。【構成】 半導体素子2と、半導体素子2を保持するとともに半導体素子2の電極3に接続された上面電極4とこの上面電極4にビア電極7を介して電気的に接続された底面電極8とを有する絶縁性基体から成る半導体キャリア1とを備えた半導体装置において、底面電極8を半導体キャリア1の底面のほぼ全面に、千鳥状もしくは同心円状に配列し、若しくは底面電極8の形状を多角形にし、又は底面電極8の形状を三角形にし、かつ三角形の底辺に沿う方向に隣接する底面電極の底辺と頂点が交互に反対側を向くように配列した。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、半導体素子を保持するとともに半導体素子の電極に接続された上面電極とこの上面電極にビア電極を介して電気的に接続された底面電極を有する絶縁性基体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置において、底面電極を半導体キャリアの底面のほぼ全面に、千鳥状もしくは同心円状に配列したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195761   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-100353
  
• 特開昭55-053446
  
• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053599   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-100353
  
• 特開昭55-053446