特許
J-GLOBAL ID：200903041958284512

半導体装置

発明者：
廣田 良浩

廣田 良浩 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231114
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074791
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 電気的干渉によるノイズの発生を防止することが可能な半導体装置をを提供すること。【解決手段】 集積回路チップ1の周縁部に、1辺 100μm の正方形のボンディングパッド2a, 2b, 2c, 2d, 2e...が 160μm ピッチで配置されている。ボンディングパッド2b, 2dは外部素子とデータ信号,クロック信号の送受を行うための信号入出力用であり、ボンディングパッド2b, 2dの両側に隣接するボンディングパッド2a, 2c, 2eは GND用とされている。 GND用のボンディングパッド2a, 2c, 2eは、集積回路チップ1内において金属配線で全て短絡され回路動作用の接地電位とは別の接地電位に固定されている。金属配線は、配線抵抗を低減するために20μm 以上の線幅となしてある。各ボンディングパッド2a, 2b, 2c, 2d, 2e...は、ボンディングワイヤ3によってパッケージリードフレームと接続されている。ここでボンディングワイヤ3は物理的に交叉,短絡しないようになしてある。
請求項（抜粋）：
その周縁部に複数のパッドが設けられた半導体チップと、該パッドと電気的に接続された複数の導電性リードとを備える半導体装置において、変動電位用のパッドの両側に固定電位用のパッドが配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 23/50
FI (2件)：
H01L 21/60 301 N ,  H01L 23/50 X
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-086754   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166461   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

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