3次元デバイスの集積化方法および集積デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-529006
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524886
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：

【要約】デバイス集積化方法および集積デバイス。本方法は、第1および第2の加工物の表面を各々約5〜10Åの表面粗さまで研磨する工程を含む。第1および第2の加工物の研磨された表面は、互いに接合される。第3の加工物の表面は、前記表面粗さまで研磨される。第3の加工物の表面は、第1および第2の加工物に接着される。第1、第2および第3の加工物は、各々好ましくはウエハ形態にある1つの表面上に形成される薄い材料を有する半導体デバイスであり得る。薄い材料は、所望の表面粗さまで研磨され、その後、互いに接合される。薄い材料は、各々この薄い材料が上に形成される材料の表面非平面度の約1〜10倍の厚さを有する。多数のデバイスが互いに接合され得、デバイスは、異なるタイプのデバイスまたは異なる技術であり得る。

請求項（抜粋）：

第1、第2および第3の加工物のそれぞれの第1の表面を各々所望の表面粗さまで研磨すること; 前記第1および第2の加工物の前記第1の表面を互いに接合すること; 接合後、前記第1および第2の加工物の一方の第2の表面を前記表面粗さまで研磨すること;および前記第3の加工物の前記第1の表面を前記研磨された第2の表面に接合することを含む各々第1の表面およびその反対側の第2の表面を有する加工物を集積化する方法。

IPC (10件)：

H01L 27/00 301 , H01L 21/02 , H01L 21/331 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/737

FI (6件)：

H01L 27/00 301 B , H01L 21/02 B , H01L 27/04 A , H01L 29/72 H , H01L 27/08 321 G , H01L 27/08 102 E

Fターム (19件)：

5F003AZ03 , 5F003BA97 , 5F003BM02 , 5F003BP36 , 5F038CA16 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ11 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC05 , 5F048BA16 , 5F048CB02 , 5F048CB03 , 5F048CB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-294846
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028057 出願人：山形日本電気株式会社
3次元集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244734 出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.

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