特許
J-GLOBAL ID：200903010580010017
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028057
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223636
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】半導体集積回路装置の製造歩留まりを向上させると共に、カスタム製品の受注から出荷までの工期を更に短縮できる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせる工程と、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせ、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/02
, H01L 27/00 301
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 21/88 B
, H01L 21/02 B
, H01L 27/00 301 B
, H01L 27/08 102 D
