特許
J-GLOBAL ID：200903042003843602

記憶装置および記憶装置の検査方法

発明者：
宮内 俊之

宮内 俊之 について

, 
服部 雅之

服部 雅之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-073796
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 符号内に2以上の誤りが発生しても読出しエラーが起こらない記憶装置、および生産性を向上できる記憶装置の検査方法を提供する。【解決手段】 フラッシュメモリ10に入力されるデータs1を符号化器1で符号内の2つの誤りを訂正できる短縮化BCH符号化した書込データs2は、セルアレイ3に書き込まれる。セルアレイ3からの読出データs3は、誤り訂正器5で誤り訂正および復号されて出力データs4とされる。製造(出荷)時の検査では、予め書き込まれている検査用データが1ブロック分ずつ読み出されて、各符号内の誤り数がカウントされる。この誤り数が1以下の符合には誤り訂正を行い、誤り数が2以上の符合を含むブロックを不良ブロックとされる。総ブロック数に対する不良ブロック数の割合が、例えば1%以下であれば合格とし、それ以上であれば不良とする。
請求項（抜粋）：
複数の記憶素子からなる記憶部と、上記記憶部から読み出される、所定のデータ単位中のn(n≧2)までの誤りを訂正可能な誤り訂正符号を用いて符号化された符号データ中の誤りを訂正する誤り訂正部とを一のパッケージ内に備え、上記符号データのデータ単位中の誤り数がm(m≦n)以下である場合には、その誤りが訂正され、上記符号データのデータ単位中の誤り数が上記mを越える場合には、その符号データが記憶されていた上記記憶部の記憶領域が所定のブロック単位で不良領域とされることを特徴とする記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 631 ,  G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 320 ,  G11C 16/06
FI (4件)：
G11C 29/00 631 B ,  G06F 12/16 310 R ,  G06F 12/16 320 M ,  G11C 17/00 639 C
引用特許：
審査官引用 (3件)

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