特許
J-GLOBAL ID：200903042014333517
3レベルインバ-タの制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134865
公開番号（公開出願番号）：特開2000-083385
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 制御方式の複雑化や出力電圧の制限等を招くことなく、安定して動作可能な3レベルインバータの制御装置を実現する。【解決手段】 3レベルインバータの制御装置であって、第1の電圧指令にバイアス量を加減算して得た量に基づく第2、第3の電圧指令をそれぞれ単一の搬送波と比較することにより第1〜第4の半導体スイッチング素子に対するPWM信号を生成する制御装置に関する。出力電圧の位相指令及び変調率指令に基づいて第1の電圧指令を複数演算する電圧指令演算回路1,2と、この演算回路1,2から出力される複数の第1の電圧指令を変調率指令の大きさに応じて切り替える電圧指令切替回路3と、前記バイアス量を変調率指令の大きさに応じて変化させるバイアス量演算回路4とを備える。
請求項（抜粋）：
直流電源両端の正電位点及び負電位点とこれらの間の中性点との間に接続された直流入力コンデンサを有する直流電源回路を備え、第1〜第4の半導体スイッチング素子からなる3つの直列回路の両端が前記正電位点及び負電位点にそれぞれ接続されるとともに、第2及び第3の半導体スイッチング素子の相互接続点がインバータ出力端子にそれぞれ接続され、第1及び第2の半導体スイッチング素子の相互接続点と前記中性点との間に第1の結合ダイオードが接続され、第3及び第4の半導体スイッチング素子の相互接続点と前記中性点との間に第2の結合ダイオードが接続されてなる3レベルインバータの制御装置であって、第1の電圧指令にバイアス量を加減算して得た量に基づく第2、第3の電圧指令をそれぞれ単一の搬送波と比較することにより第1〜第4の半導体スイッチング素子に対するPWM信号を生成する制御装置において、出力電圧の位相指令及び変調率指令に基づいて第1の電圧指令を複数演算する電圧指令演算手段と、この電圧指令演算手段から出力される複数の第1の電圧指令を変調率指令の大きさに応じて切り替える電圧指令切替手段と、前記バイアス量を変調率指令の大きさに応じて変化させるバイアス量演算手段と、を備えたことを特徴とする3レベルインバータの制御装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H02M 7/48 Q
, H02M 7/48 F
, H02M 7/515 D
