特許

J-GLOBAL ID：200903042028013574

薄膜形成方法

発明者： 前田 菊男 ,  深沢 孝二 ,  尾▲崎▼ 浩司 ,  田島 茂 ,  福田 和浩
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292136
公開番号（公開出願番号）：特開2004-124203
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】薄膜形成の際、基材の端部の部分の薄膜の膜厚を基材の端部以外のほとんどの部分と同じ膜厚に出来る薄膜形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも2個の電極が対向する対向電極間(放電空間)を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスにより基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

少なくとも2個の電極が対向する対向電極間(放電空間)にガスを導入し、該放電空間に高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスに基材を晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C23C16/505 ,  B01J19/08 ,  C23C16/18 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B5/08 ,  H05H1/24

FI (7件)：

C23C16/505 ,  B01J19/08 H ,  C23C16/18 ,  G02B5/08 A ,  H05H1/24 ,  G02B1/10 A ,  G02B1/10 Z

Fターム (47件)：

2H042DA01 ,  2H042DA10 ,  2H042DA12 ,  2H042DB01 ,  2H042DC02 ,  2K009AA06 ,  2K009BB02 ,  2K009BB28 ,  2K009CC02 ,  2K009CC03 ,  2K009CC14 ,  2K009CC26 ,  2K009CC42 ,  2K009CC45 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD07 ,  2K009EE03 ,  2K009EE05 ,  4G075AA24 ,  4G075BC01 ,  4G075BC02 ,  4G075BC03 ,  4G075BC04 ,  4G075CA25 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075DA11 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075EE12 ,  4G075EE36 ,  4G075FC04 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030CA01 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030LA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 気相反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-300286   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平4-022122
  
• 表面処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-153709   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 放電プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-329371   出願人：積水化学工業株式会社