特許
J-GLOBAL ID：200903084933851375

放電プラズマ処理装置

発明者：
中武 純夫

中武 純夫 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329371
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129246
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：
【要約】【課題】 高速処理及び大面積処理に対応可能でかつ、基材にダメージを与えず、基材上全面に渡って均一な厚さの薄膜を形成させることのできる放電プラズマ処理装置の提供。【解決手段】 少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆された一対の対向電極間に電界を印加し、前記対向電極間に処理ガスを導入して発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材保持部材上の基材に導いて処理を行う処理装置であって、基材表面と基材保持部材外縁部表面の位置が同じ高さであることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆された一対の対向電極間に電界を印加し、前記対向電極間に処理ガスを導入して発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材保持部材上の基材に導いて処理を行う処理装置であって、基材表面と基材保持部材外縁部表面の位置が同じ高さであることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
IPC (6件)：
C23C 16/515 ,  B01J 19/08 ,  C23C 26/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/24
FI (6件)：
C23C 16/515 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 26/00 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/24
Fターム (54件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA14 ,  4G075CA16 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB44 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030JA11 ,  4K030KA14 ,  4K030KA47 ,  4K044AA01 ,  4K044AA06 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044AB05 ,  4K044BA20 ,  4K044BA21 ,  4K044BB01 ,  4K044BC02 ,  4K044BC14 ,  4K044CA34 ,  4K044CA71 ,  4K057DA01 ,  4K057DA04 ,  4K057DD01 ,  4K057DD07 ,  4K057DG13 ,  4K057DG15 ,  4K057DM20 ,  4K057DM35 ,  4K057DM36 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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