特許
J-GLOBAL ID：200903042049132050

半導体電子デバイス及び半導体電子デバイスの製造方法

発明者：
中井 昭暢

中井 昭暢 について

, 
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-350469
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116858
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 電極のコンタクト層を選択成長により形成しない半導体電子デバイスについて、電極のコンタクト抵抗の小さいものを提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。また、窒化物系化合物半導体層はAlxGa1-xN(0≦x<1)、不純物はIn,As,P,Sbのうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/812
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (22件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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