特許

J-GLOBAL ID：200903042055022399

半導体作製方法および半導体装置の作製方法および液晶電気光学装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-222563
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051104
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成される結晶性珪素膜であって、基板面内において均一な結晶性を有する結晶性珪素膜を得、かつ基板を平坦にする。【構成】 ガラス基板上に成膜された非晶質珪素膜に対して、線状レーザービームを走査しながら照射するに際し、前記ガラス基板を、凸曲面を呈するように設置し、加熱状態において、前記凸曲面に概略対応した逆U字型の焦点分布を有する線状レーザービームを走査しながら照射し、その後徐冷する。

請求項（抜粋）：

半導体膜が設けられた非平坦の被照射面に対して照射される線状レーザービームの、線方向の焦点が、前記被照射面の断面形状に概略一致するように分布していることを特徴とする半導体作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 27/12 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 27/12 R ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-110914
  
• 特開昭64-076715
  
• 半導体作製方法および半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205379   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体作製方法および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212061   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所