磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-250287
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081315
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層15と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層17と、固定層15と記録層17との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層16とを具備する。記録層17を構成する磁性層のうち中間層16と接する磁性層17A-1は、コバルト(Co)及び鉄(Fe)を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層16と接していない磁性層の膜厚より大きい。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された第1の固定層と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層と、前記第1の固定層と前記記録層との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる第1の中間層とを具備し、前記記録層を構成する磁性層のうち前記第1の中間層と接する第1の磁性層は、コバルト(Co)及び鉄(Fe)を含む合金からなり、かつその膜厚が前記第1の中間層と接していない磁性層の膜厚より大きいことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15 , H01F 10/16

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01F10/16

Fターム (66件)：

4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ09 , 4M119KK04 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC07 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB82 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC46 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA25 , 5F092EA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-172845 出願人：株式会社東芝
光磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-244990 出願人：ソニー株式会社
特開平4-111302

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