特許

J-GLOBAL ID：200903080732681271

磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ

発明者： 早川 純 ,  大野 英男 ,  池田 正二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-181979
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059879
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の強磁性膜304と、(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜305と、強磁性膜306とを積層した構造を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有するトンネル磁気抵抗効果素子において、 前記第一の強磁性膜はCoとFeとBを含有する体心立方構造の膜であり、 前記絶縁膜は(100)配向した岩塩構造のMgO膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 29/82

FI (8件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (39件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC46 ,  5F092BE11 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,695,864号明細書
  
• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Dependence of Giant Tunnel Magnetoresistance of Sputtered CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions