半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292395
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128321
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】直接的な光の取り出し効率を向上させるとともに、それを利用した半導体発光デバイスの小型化に寄与できる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】支持基板1の一方の面に第1の導電型を有する半導体層2と、活性層3と、第2の導電型を有する半導体層4とを順次積層してなり、第2の導電型を有する半導体層4に第2の電極6を設けるとともに、活性層3と第2の導電型を有する半導体層4の所定位置に第1の導電型を有する半導体層2が露出するよう凹部11を形成し、その第1の導電型を有する半導体層2に第1の電極5を設けた半導体発光素子。第1の電極5は、凹部11を形成する側面12に対向する自己の側面54を、両側面12,54間の間隔が高さ方向において変化するように設け、発光した光を所定の方向に反射させて集光する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、支持基板の一方の面に第1の導電型を有する半導体層と、活性層と、第2の導電型を有する半導体層とを順次積層してなり、第2の導電型を有する半導体層に第2の電極を設けるとともに、活性層と第2の導電型を有する半導体層の所定位置に第1の導電型を有する半導体層が露出するよう凹部を形成し、その第1の導電型を有する半導体層に第1の電極を設けた半導体発光素子において、前記第1の電極は、前記凹部を形成する側面に対向する自己の側面を、両側面間の間隔が高さ方向において変化するように設け、発光した光を所定の方向に反射させて集光することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA47 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CB11 , 5F041CB25

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-076686
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-221772 出願人：シャープ株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-152301 出願人：三洋電機株式会社

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