半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069360
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250652
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】島状半導体層の側壁に形成される三次元構造のトランジスタの優れた特性を生かしつつ、インバータ、NAND、NOR、AND、OR、あるいはそれらの組み合わせを含む論理回路が構成された半導体装置を提供する。【解決手段】表面に1以上の島状半導体層を有する半導体基板と、各島状半導体層の側壁部に形成されトランジスタもしくは抵抗体として動作する1以上の素子と、1以上の島状半導体層に形成された複数の前記素子が組み合わされて論理回路を構成するように前記素子を互いに接続する導電部とを備えることを特徴とする半導体装置。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

表面に1以上の島状半導体層を有する半導体基板と、各島状半導体層の側壁部に形成されトランジスタもしくは抵抗体として動作する1以上の素子と、 1以上の島状半導体層に形成された複数の前記素子が組み合わされて論理回路を構成するように前記素子を互いに接続する導電部とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06 , H01L 27/00

FI (9件)：

H01L27/08 102E , H01L27/08 321G , H01L29/78 301X , H01L29/78 656A , H01L29/78 652K , H01L27/04 P , H01L29/78 653B , H01L27/06 102A , H01L27/00 301A

Fターム (58件)：

5F038AR02 , 5F038AR14 , 5F038CA02 , 5F038CA16 , 5F038DF01 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA19 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BD06 , 5F048BD07 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG11 , 5F048BG13 , 5F048BH03 , 5F048CB06 , 5F048CB07 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB05 , 5F140AB10 , 5F140BA16 , 5F140BB04 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BF47 , 5F140BG27 , 5F140BG34 , 5F140BH05 , 5F140BH30 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140CA03 , 5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平2-71556号公報

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199399 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-063095 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
縦型電界効果トランジスタ、相補型の縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-142005 出願人：松下電器産業株式会社

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