特許
J-GLOBAL ID：200903042185377563
低ストレスの多層フィルムを備えたマスクおよび多層フィルムのストレスを制御するためのプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262606
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190190
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【課題】 基体上に形成された多層フィルムのストレスの制御プロセスを提供する。【解決手段】 基体上に形成された多層フィルムのストレスを制御するためのプロセスが開示されている。複数の周期が基体内に形成されており、各周期は少なくとも2つの材料層を有し、1つの材料層は圧縮ストレス下にあり、他の材料層は引張りストレス下にある。多層フィルムのストレスは圧縮ストレス下にある層の厚さと引張りストレス下にある層の厚さを選択することにより制御され、これにより多層フィルムに所望のストレスを付与することができる。各層の厚さは約0.5nmから約10nmである。本発明はまた、このような多層フィルムを備えたマスクに関するものである。
請求項（抜粋）：
複数の周期を形成することにより基体上に多層フィルムを形成することを含み、各周期は少なくとも2つの層からなり、周期内の少なくとも1つの層は圧縮ストレス下にあり、また周期内の少なくとも1つの層は引張りストレス下にあり、各層は約0.5nmから約10nmの厚さを有し、圧縮ストレス下にある層の厚さと引張りストレス下にある層の厚さは、得られた多層フィルムのストレスが-約50MPaから約50MPaであり、また周期内の少なくとも1つの層が金属層である、マスクを製作するためのプロセス。
IPC (2件)：
引用特許：
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