特許
J-GLOBAL ID：200903042208061461
結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033786
公開番号（公開出願番号）：特開2000-233990
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 シリコン単結晶バルクの引き上げを行うにあたって、より安全に引き上げを行うことができる方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によるバルクの引き上げを行う際に、当該バルクを引き上げる部分の最小径部位についての引っ張り強度と破壊確率とを考慮して、引き上げられているバルクの重量を調整する。バルクの重量は、前記最小部位における下記の破断荷重の小さい方よりも小さくなるように調整する。1.前記最小径部位の外径に対応する所定の破壊確率に対応する破断荷重。2.単位面積あたりの引張強度から理論的に算出される前記最小径部の破断荷重。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によるバルクの引き上げを行う際に、当該バルクを引き上げる部分の最小径部位についての引っ張り強度と破壊確率とを考慮して、引き上げられているバルクの重量を調整することを特徴とする結晶成長方法。
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH04
, 4G077EH06
, 4G077PA01
, 4G077PA16
, 4G077PF28
