特許
J-GLOBAL ID:200903049488929008
単結晶保持方法および単結晶成長方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-267807
公開番号(公開出願番号):特開平10-095697
出願日: 1996年09月18日
公開日(公表日): 1998年04月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 チョクラルスキー法において、成長結晶の一部を機械的に保持する場合において、いつ成長結晶を実際に機械的に保持すれば良いか、その条件を見いだし、成長結晶を安全かつ確実に引き上げる。【解決手段】 原料融液に接触せしめた種結晶を回転させつつ引上げて単結晶を成長させるチョクラルスキー法であって、結晶成長中に成長結晶の一部を機械的に保持し、種結晶および種絞りの強度にかかわらず、高重量の単結晶の引き上げを可能とする場合において、前記成長結晶の機械的保持は、成長結晶の重量(Wkg)が、下記の(1)式を満足しおよび/または成長結晶の保持する部分の温度を550°C以下とすることを特徴とする単結晶保持方法。W < 12.5×πD<SP>2</SP> /4 ・・・・(1)(ここで、Dは種絞りの最小径(mm)である。)
請求項(抜粋):
原料融液に接触せしめた種結晶を回転させつつ引上げて単結晶を成長させるチョクラルスキー法であって、結晶成長中に成長結晶の一部を機械的に保持し、種結晶および種絞りの強度にかかわらず、高重量の単結晶の引き上げを可能とする場合において、前記成長結晶の機械的保持は、成長結晶の重量(Wkg)が、下記の(1)式を満足するように行うことを特徴とする単結晶保持方法。W < 12.5×πD<SP>2</SP> /4 ・・・・(1)(ここで、Dは種絞りの最小径(mm)である。)
IPC (3件):
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, C30B 15/30
FI (3件):
C30B 29/06 502 F
, C30B 15/00 Z
, C30B 15/30
引用特許:
出願人引用 (5件)
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半導体単結晶の製造装置および製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-342609
出願人:コマツ電子金属株式会社
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特公平7-000515
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特開昭62-288191
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特開昭63-252991
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単結晶引上装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-093411
出願人:三菱マテリアル株式会社
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審査官引用 (3件)
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半導体単結晶の製造装置および製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-342609
出願人:コマツ電子金属株式会社
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単結晶引上装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-093411
出願人:三菱マテリアル株式会社
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単結晶引上装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-093410
出願人:三菱マテリアル株式会社
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