特許
J-GLOBAL ID：200903042210853472

酸化物半導体電極の製造方法

発明者：
樋口 和夫

樋口 和夫 について

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福嶋 喜章

福嶋 喜章 について

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若山 博昭

若山 博昭 について

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稲垣 伸二

稲垣 伸二 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189225
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021462
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 酸化物半導体層の比表面積を低下させることなく,電子の移動制限を緩和することができ,エネルギー変換効率に優れた,酸化物半導体電極の製造方法を提供すること。【解決手段】 高比表面積を有する基材7上に酸化物半導体を析出又は被覆させて酸化物半導体層21を形成し,次いで基材7を除去することにより,酸化物半導体層21からなる酸化物半導体電極2を得る。
請求項（抜粋）：
高比表面積を有する基材上に酸化物半導体を析出又は被覆させて酸化物半導体層を形成し,次いで上記基材を除去することにより,酸化物半導体層からなる酸化物半導体電極を得ることを特徴とする酸化物半導体電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01M 14/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 31/04 H
Fターム (16件)：
4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF01 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  5F051AA14 ,  5F051FA01 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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