特許
J-GLOBAL ID：200903042217330866
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284517
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は、放熱板付きリードフレームを使用した樹脂封止型半導体装置を1回の硬化工程で製造することが可能で、半導体装置の製造工程の簡略化、コストダウンに有用な製造方法を提供する。【構成】本発明の製造方法は、(1)放熱板とリードフレームとを第1の熱硬化性接着剤を介して仮接着する工程、(2)放熱板の一面に第2の熱硬化性接着剤を介して半導体チップをマウントする工程、(3)硬化後の該第1の熱硬化性接着剤の動的弾性率の最小値が150°C〜250°Cの範囲において10MPa以上10GPa未満となるように、第1の熱硬化性接着剤と第2の熱硬化性接着剤の硬化処理を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
(1)放熱板とリードフレームとを第1の熱硬化性接着剤を介して仮接着する工程、(2)放熱板の一面に第2の熱硬化性接着剤を介して半導体チップをマウントする工程、(3)硬化後の該第1の熱硬化性接着剤の動的弾性率の最小値が150°C〜250°Cの範囲において10MPa以上10GPa未満となるように、第1の熱硬化性接着剤と第2の熱硬化性接着剤の硬化処理を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/52
, C09J 5/00
, C09J 7/00
, C09J 7/02
, H01L 23/29
, H01L 23/50
H01L 21/52 E
, H01L 21/52 B
, C09J 5/00
, C09J 7/00
, C09J 7/02 Z
, H01L 23/50 F
, H01L 23/36 A
