特許
J-GLOBAL ID：200903042254459348
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270224
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016882
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】機械的な衝撃から半導体チップを保護することができ、信頼性を向上させた半導体装置を低い製造コストで提供する。【解決手段】素子電極11が配列された主面10aと側面10bとを有する半導体素子10と、主面10a上および側面10b上に形成された絶縁層20と、主面10aおよび側面10b上に位置する絶縁層20上に形成され、素子電極11と電気的に接続された配線層33と、半導体素子10の裏面10c上に形成された絶縁性樹脂層22と、絶縁性樹脂層22上に形成され、配線層33に電気的に接続された金属配線層34と、金属配線層34の一部として絶縁性樹脂層22上に形成された外部電極32とを備えている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
素子電極が配列された主面と、前記主面の外縁を規定する側面とを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記主面上および前記半導体素子の前記側面上に形成され、前記素子電極を露出する開口部を有する絶縁層と、
前記半導体素子の前記主面上に位置する前記絶縁層上に形成され、前記開口部内において前記素子電極と電気的に接続された配線層と、
前記半導体素子の前記主面に対向する裏面上に形成された絶縁性樹脂層と、
前記絶縁性樹脂層上に形成された金属配線層と、
前記金属配線層の一部として前記絶縁性樹脂層上に形成された外部電極とを備え、
前記配線層は、前記半導体素子の前記側面上に位置する前記絶縁層上にも形成され、
前記金属配線層は、前記配線層に電気的に接続されており、前記配線層を介して前記素子電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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