特許
J-GLOBAL ID：200903042319975705
化合物半導体装置及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173602
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235692
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】本発明は、従来に比して膜質の安定した窒素系化合物半導体層を有する化合物半導体装置を実現する。【構成】基体と最上層に形成される窒素系化合物半導体層との間に窒素系化合物半導体層でなる複数のバツフア層を設ける。これら複数のバツフア層を挟んで窒素系化合物半導体層を成長させることにより、格子間整合性を損なうことなく成長されたバツフア層の上に結晶性に優れた窒素系化合物半導体層を成長させることができる。
請求項（抜粋）：
基体上に一般式がIn1-x-y Gax Aly N(0≦x≦1、0≦x+y≦1)で表される化合物半導体層を有する化合物半導体装置において、上記基体と上記化合物半導体層との間に複数層のバツフア層を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/86
